ABB 5SHY3545L0005 可控硅模块 这样会导致器件的导通损耗和开关损耗也相应增大

在90年代中期，ABB科研人员通过优化[ ]级极驱动单元和器件外壳设计,采用集成]极等技术，大大降低了GTO驱动电路的要求，实现了GTO到HD-GT0的技术飞跃。但HD-GTO的通态损耗比较大，研究人员就借鉴了IGBT在向中，高电压发展过程中所积累的各种降损耗技术.对HD-GTO进行了结构优化,并将它与其集成的硬驱动]控单元-起命名为IGCT, 集成门]极换流晶闸管。综上所述，IGCT同时具有GTO的导通特性和IGBT的开关特性,特点是大电流、电压、开关频率高、哥靠性、结构紧凑和低损耗,性能明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件。IGCT主要由主开关器件GTC及其相应的集成[ ]极驱动单元所组成。GTC是由GTO演变而来，引入了缓冲层、阳极透明发射极和逆导结构。其核心器件GTC如图1所示的剖面结构。传统的非穿通型概念是在厚的N基区上直接扩散形成阳极。非穿通PN结在阻断情况下电场分布呈三形,如图2中的曲线1所示、由图2可以看出，器件总的阻断电压为电场在沿硅片厚度方向上的积分。因此，在材料所承受电场强度大值不变的情况下，所需阻断电压越高，其硅片就越厚。这样会导致器件的导通损耗和开关损耗也相应增大。

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