

我们知道GTO有’通’和’断’两个稳定工作状态,但在它们之间(开断过程),则是不稳定状态。IGCT采用一种新的低电感驱动电路,在门极(-20V)偏置状态下,通过应驱动电路可获得4000A/us电流变化率。它使得在大约1us时间内,阳极电压开始.上升前,将全部阳极电流不通过阴极,而从门极流出。晶闸管的PNPN四层结构暂时变为PNP晶体管三层结构,有了稳定的中间状态。在IGCT的关断过程中,IGCT能瞬间从导通转到阻断状态,变成一个PNP晶体管以后再关断,所以它无外加du/dt限制。而GTO必须经过一 个既非导通又非关断的中间不稳定状态载苏方进行转换,即“GTO区”,所以需要很大的吸收电路来抑制电压变化率。
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