5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 集成门极换流晶闸管 再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接

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IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和i ]极驱动电路集成在一起， 再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。
 

2021年全国发电量达8534.3万亿千瓦，其中火力发电占比71.13%。而燃煤发电又因效率高、成本低、稳定性强等多重优势，成为了火力发电中的主力军，截至2021年，我国燃煤机组装机容量为11.09亿千瓦，占火电机组装机容量的比重达到85.52%。占比巨大的燃煤发电企业在“碳达峰、碳中和”的目标下，无疑都面临着绿色低碳转型的迫切压力。

　　输煤系统作为火力发电燃料供给的重要系统，5SHY4045L0006 3BHB030310R0001   集成门极换流晶闸管  是保障生产持续运行的重要环节。传统输煤系统采用 PLC 作为主控制器,并将输煤工艺中的所有控制逻辑集中在主控制器内，通过铺设大范围的通信电缆，与分布在输煤工艺沿线的就地设备建立通讯，并控制就地的执行机构，以此实现输煤现场所有设备的自动化控制，输煤系统中常见的 DI、DO、AI、AO、RTD 等类型的变量均需通过专用且独立的通信电缆实现信号传输，导致电缆耗费量极大，且因所有控制逻辑均在主控制器中，导致主控制器负荷较重，且一日发生故障，则会导致整个系统出现故障，严重影响输煤控制系统的稳定性。

　　图尔克通过紧凑型IP67边缘控制器或block I/O模块实现对输煤系统的分布式控制。以模块化分布式控制取代传统的集中控制管理，将火电的输煤监控点做到彻底的分散，同时，分布式控制系统其强劲的集成及封装能力、安全可靠的互连互通特性、极强的故障诊断能力、以及很高防护等级，都为输煤系统的高稳定性和系统性能的优化提供了保障，而且，分布式控制可提升输煤系统智能化水平，提高生产运营效率，有效降低生产运营成本和设备维护成本，有力推动输煤向“安全高效、清洁低碳、智能灵活”5SHY4045L0006 3BHB030310R0001   集成门极换流晶闸管  方向的转型。

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IGCT integrated] intergrated gate commutated thyristors (Intergrated Gate Commutated Thyristors) is a power semiconductor switching device developed by medium voltage frequency converters for use in giant power electronics complete devices (integrated gate converter thyristors = gate converter thyristors + gate unit). Proposed by ABB in 1997. IGCT has enabled converters to make great progress in terms of power, reliability, switching speed, efficiency, cost, volume and volume, bringing a new leap to power electronics plants. IGCT integrates the GTO chip with an anti-shunt diode and an i-pole driver circuit, and then connects it with its gate driver in a low-inductance manner at the periphery, combining the stable turn-off ability of the transistor and the advantages of low on-state loss of the thyristor, giving full play to the performance of the thyristor in the conduction stage, and presenting the characteristics of the transistor in the shutdown stage. IGCT has the characteristics of large current, high blocking voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low conduction loss, etc., and has low cost and high yield, which has a good application prospect.

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