5SHY4045L0006 IGCT系列模块 3BHB030310R0001 给电力电子成套装置带来了新的飞跃

5SHY4045L0006     IGCT系列模块   3BHB030310R0001

IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是-种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、 开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和广极驱动电路集成在一起，再与其[ ]极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点,在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低,成品率高，有很好的应用前景。

某地220kv变电站现场施工调试测电压时，误将万用表表笔接至电流测量插孔中，导致110kv保护装置所用直流屏馈线至110kv保护装置直流电源回路产生短路故障，万用表烧毁，该回路直流断路器脱口，同时导致直流主馈线屏至该110kv保护装置所用直流屏的直流断路器脱扣，即该110kv保护装置所用直流屏的直流母线失压，5SHY4045L0006     IGCT系列模块  3BHB030310R0001所有保护设备停电。

二．故障原因分析

1.系统组成

该220kv变电站直流电源系统采用单母线分段运行方式，配置2组蓄电池，每组104只2v400ah阀控式铅酸蓄电池.该站各级保护电器使用情况如下：

蓄电池出口保护元件为nh2系列熔断器，额定电流为250a;蓄电池出口电缆：截面积为95mm2,长度为12m。

直流主馈线屏出口直流断路器：5SHY4045L0006    IGCT系列模块 3BHB030310R0001 额定电流63a的两段式直流塑壳断路器，型号为gm100/63a；直流屏出口电缆：截面积为25 mm2，长度为25m。 110kv保护装置所用直流分屏直流断路器：额定电流为25a的两段式小型直流断路器，型号gm32/25a;直流分屏电缆：截面积为4 mm2，长度为10m。 110kv保护装置内电源装置直流断路器；额定电流为10a的两段式小型直流断路器；110kv测保屏至110kv保护装置的电缆；截面积为2.5 mm2，长度为1m.

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IGCT integrated [ ] Polar converter thyristors (Intergrated Gate Commutated Thyristors) are power semiconductor switching devices developed by medium voltage frequency converters for use in giant power electronics complete sets (integrated gate converter thyristors = [ ] pole converter thyristors + gate units). Proposed by ABB in 1997. IGCT has enabled converters to make great progress in terms of power, reliability, switching speed, efficiency, cost, weight and volume, bringing a new leap to power electronics plants. IGCT integrates the GTO chip with an anti-shunt diode and a wide-pole driver circuit, and then connects it with its [ ] pole driver in a low-inductance manner at the periphery, combining the stable turn-off ability of the transistor and the advantages of low on-state loss of the thyristor, giving full play to the performance of the thyristor in the conduction phase, and presenting the characteristics of the transistor in the shutdown stage. IGCT has the characteristics of large current, high blocking voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low conduction loss, etc., and has a good application prospect due to low cost and high yield.
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