5SHX2645L0004 3BHL000389P0104 可控硅模块 其具有GTO高阻断能力和低通态压降

IGCT是GCT（门极换流晶闸管）和集成门极驱动电路的合称，其具有GTO高阻断能力和低通态压降，以及和IGBT相同的开关性能，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，广泛应用于大功率中压变流器。基本工作原理如下：

当IGCT工作在导通状态时，是一个像晶闸管一样的正反馈开关，其特点是携带电流能力强和通态压降低。在关断状态下，IGCT门--阴极间的pn结提前进入反向偏置，并有效地退出工作，整个器件呈晶体管方式工作，该器件在这两种状态下的等效电路图，IGCT关断时，通过打开一个与阴极串联的开关（通常是MOSFET），使P基极n发射极反偏，从而迅速阻止阴极注入，将整体的阳极电流强制转化成门极电流（通常在ls内），这样便把GTO转化成为一个无接触基区的PNP晶体管，消除了阴极发射极子收缩效应。这样，它的大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多。由于IGCT在增益接近1时关断，因此，保护性的吸收电路可以省去。

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