5SHX2645L0004   可控硅模块 IGCT既具有晶闸管的低状态压降和高阻塞电压

当IGCT工作在导通状态时，是一个像晶闸管一样的正反馈开关，其特点是携带电流能力强和通态压降低。在关断状态下，IGCT门--阴极间的pn结提前进入反向偏置，并有效地退出工作，整个器件呈晶体管方式工作，该器件在这两种状态下的等效电路图，IGCT关断时，通过打开一个与阴极串联的开关（通常是MOSFET），使P基极n发射极反偏，从而迅速阻止阴极注入，将整体的阳极电流强制转化成门极电流（通常在ls内），这样便把GTO转化成为一个无接触基区的PNP晶体管，消除了阴极发射极子收缩效应。这样，它的大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多。由于IGCT在增益接近1时关断，因此，保护性的吸收电路可以省去。

由于IGCT在开基状态下关闭晶体管模式下的阳极电流，可以避免所谓的“GTO”状态，在关断过程中允许更高的阳极电压上升率，并且关断动作非常可靠。因此，IGCT既具有晶闸管的低状态压降和高阻塞电压，又具有晶体管稳定的关断特性，是理想的大功率半导体开关器件。由于栅极驱动电路必须在关断过程中快速传输所有正电流。因此，IGCT设计必须采用电感相对较低的栅极驱动电路。在实际应用中，可以根据设备要求使用多层布线印刷电路板。综上所述，IGCT具有以下特点：IGCT循环的关断时间可缩短至1 s以内，为实现简单耐用的高压串联奠定了基础;由于IGCT可以非常均匀地工作，因此可以显着减少或忽略吸收电路和逆变器的损耗;由于栅极关断电荷低，栅极驱动功率可以显著降低。

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