ABB 5SHY3545L0005 IGCT模块 必须将低压IGBT串联使用

在目前的中电压大功率应用领域.占主导地位的功率半导体器件主要有晶闸管、门极可关断晶闸管(GTO)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等,这些传统的功率器件在实用方面.都存在-些缺陷。 GTO在一个硅片上集成了数千个分离开关单元。在中电压下，GTO呈现很小的通态损耗和合理的关断损耗。然而，由于开关的不均匀, GTO需外加缓冲电路来维持工作。这些缓冲电路用了整个设备的大部分体积，引起设计复杂、成本高、损耗大的主要原因。相反，IGBT开关均匀，不需要缓冲电路，但通态损耗较大,且用于中电压电路时，必须将低压IGBT串联使用，这样大大增加了系统的复杂性和损耗,同时还降低了系统的可靠性。

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